[17a-B2-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[17a-B2-8] Effect of Annealing Temperature after Electron Irradiation on Radiative Recombination of Defect Levels in Si

〇Yuto Haraguchi¹, Takahiro Iwakiri¹, Tomoki Harada¹, Tetsuo Ikari¹, Atsuhiko Fukuyama¹, Shun Sasaki², Noritomo Mitsugi² (1.Univ. of Miyazaki, 2.SUMCO Corporation)

Keywords:

Silicon,Photoluminescence,Defect evaluation

Si基板への電子線照射と回復熱処理により形成された欠陥準位によってパワーデバイスのスイッチング特性の改善が可能である。しかし、欠陥準位の微視的構造は不明であるため、本研究ではPL測定を行い回復熱処理温度の違いが欠陥準位に与える影響について議論を行った。その結果、新たに窒素-炭素-酸素の複合欠陥起因、あるいはC-lineの減少とともに低エネルギー側へ現れた炭素-酸素起因と考えられるピークが出現した。