[17a-B2-1~9] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

11:00 〜 11:15

[17a-B2-8] 電子線照射後の回復熱処理温度がSi中欠陥準位の発光再結合信号に与える影響

〇原口 佑斗¹、岩切 孝洋¹、原田 知季¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹、佐々木 駿²、三次 伯知² (1.宮崎大工、2.株式会社 SUMCO)

キーワード：

シリコン、フォトルミネッセンス、欠陥評価

Si基板への電子線照射と回復熱処理により形成された欠陥準位によってパワーデバイスのスイッチング特性の改善が可能である。しかし、欠陥準位の微視的構造は不明であるため、本研究ではPL測定を行い回復熱処理温度の違いが欠陥準位に与える影響について議論を行った。その結果、新たに窒素-炭素-酸素の複合欠陥起因、あるいはC-lineの減少とともに低エネルギー側へ現れた炭素-酸素起因と考えられるピークが出現した。