Presentation Information
[17a-P01-25]Analysis of graphene growth mechanism on h-BN flakes
〇(B)Aoi Sasanuma1, Hayato Watanabe2, Yunosuke Miyashita3, Ryousuke Takatsuka3, Kenji Watanabe5, Takashi Taniguchi5, Tatsuro Hanajiri1,3,4, Ryouta Negishi1,3,4 (1.Toyo Univ., 2.Osaka Univ. Graduate School, 3.Toyo Univ. Graduate School, 4.BNC, 5.NIMS)
Keywords:
graphene,crystal growth
乱層積層した多層グラフェンは層間相互作用が弱いことから、単相グラフェンの電子構造である線形分散特性を保持する。これまでの研究で、グラフェン同様の六員環呼構造を有する六方晶窒化ホウ素フレーク(h-BN)を固定テンプレートとした気相-固相成長により、多層グラフェンが形成することを報告してきた。本研究では、ファンデルワールスヘテロエピタキシー成長の温度特性から形成メカニズムを検討したので、報告する。
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