[17a-P01-1~66] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[17a-P01-51] Effect of intrinsic defects caused by off-stoichiomerty on the physical properties of SnS thin films

〇(D)Taichi Nogami¹, Daiki Motai¹, Issei Suzuki¹, Takahisa Omata¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:

SnS,thin film,Sputtering

デバイス応用に適したSnS薄膜は、非平衡下で作製され、その組成はしばしば化学量論組成から外れる。本研究では、SnS薄膜中の硫黄量を精密に制御したSnS薄膜において、化学量論組成からのずれに起因した欠陥が電気的・光学的性質に与える影響を調べた。硫黄過剰なSnS薄膜で160 meVだったアクセプタ準位は、硫黄欠損すると~320 meVで一定となった。これは、化学量論組成を境に主要なアクセプタが変化していることを示している。