[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-51] 化学量論組成からのずれに起因する内因性欠陥がSnS薄膜の物性に与える影響

〇(D)野上 大一¹、茂田井 大輝¹、鈴木 一誓¹、小俣 孝久¹ (1.東北大)

キーワード：

SnS、薄膜、スパッタリング法

デバイス応用に適したSnS薄膜は、非平衡下で作製され、その組成はしばしば化学量論組成から外れる。本研究では、SnS薄膜中の硫黄量を精密に制御したSnS薄膜において、化学量論組成からのずれに起因した欠陥が電気的・光学的性質に与える影響を調べた。硫黄過剰なSnS薄膜で160 meVだったアクセプタ準位は、硫黄欠損すると~320 meVで一定となった。これは、化学量論組成を境に主要なアクセプタが変化していることを示している。