Presentation Information
[17a-P01-60]Fabrication Process and Transistor Characteristics of MoS2-FET toward Graphene/MoS2 Hetero-Junction FET
〇KENTO MIMURA1, TAKAYUKI HASEGAWA1, YOSHIYUKI HARADA1, MASATOSHI KOYAMA1, TOSHIHIKO MAEMOTO1, AKIRA FUJIMOTO1 (1.Osaka Inst Tech.)
Keywords:
Molybdenum Disulfide,Field Effect Transistor,van der Waals Heterojunction
2次元材料のグラフェンやMoS2などを積層させることで形成されるファンデルワールス(vdW)ヘテロ構造は，シリコンなどの従来のバルク材料にはない機能を付与できることから近年注目されているデバイス構造の1つとなっている．本研究では2次元材料を用いたFETのデバイス構造および作製プロセスを検討している．本講演では，グラフェンとMoS2のvdwヘテロ接合型FETの電気特性について報告する．
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