講演情報
[17a-P01-60]Graphene/MoS2ヘテロ接合型FETに向けたMoS2-FETの作製プロセスおよびトランジスタ特性の評価
〇三村 賢斗1、長谷川 尊之1、原田 義之1、小山 正俊1、前元 利彦1、藤元 章1 (1.大阪工大 ナノ材研)
キーワード：
二硫化モリブデン、電界効果トランジスタ、ファンデルワールスヘテロ接合
2次元材料のグラフェンやMoS2などを積層させることで形成されるファンデルワールス(vdW)ヘテロ構造は，シリコンなどの従来のバルク材料にはない機能を付与できることから近年注目されているデバイス構造の1つとなっている．本研究では2次元材料を用いたFETのデバイス構造および作製プロセスを検討している．本講演では，グラフェンとMoS2のvdwヘテロ接合型FETの電気特性について報告する．
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