[17a-P01-1~66] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[17a-P01-64] Reduction of contact resistances in metal/MoS₂ junction by electric double layer doping

〇(M1)Fumiya Minatogawa¹, Jyunya Mori¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Taishi Takenobu¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:

two-dimensional materials,electric double layer doping,contact resistance

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)単層膜に対して電解質を用いた電気二重層ドーピングを行うことにより、金属/MoS₂界面の接触抵抗をドーピング以前の約1/10³に減少させることに成功した。電気二重層ドーピングを用いた接触抵抗の減少を確認したのは本研究が初めてである。さらに、TMDCと電極の相対位置による影響を評価するため非対称な構造の素子を作製し、得られた結果に基づいて接触抵抗低減のメカニズムの考察を行った。