[17a-P01-1~66] 17 ナノカーボン・二次元材料（ポスター）

[17a-P01-64] 電気二重層ドーピングによる金属/MoS₂接合における接触抵抗の低減

〇(M1)湊川 郁也¹、森 順哉¹、遠藤 尚彦²、宮田 耕充²、竹延 大志¹ (1.名大工、2.都立大理)

キーワード：

二次元材料、電気二重層ドーピング、接触抵抗

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)単層膜に対して電解質を用いた電気二重層ドーピングを行うことにより、金属/MoS₂界面の接触抵抗をドーピング以前の約1/10³に減少させることに成功した。電気二重層ドーピングを用いた接触抵抗の減少を確認したのは本研究が初めてである。さらに、TMDCと電極の相対位置による影響を評価するため非対称な構造の素子を作製し、得られた結果に基づいて接触抵抗低減のメカニズムの考察を行った。