[17a-P01-1~66] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[17a-P01-65] Electric double layer light-emitting devices of transition metal dichalcogenides

〇Keisuke Yamada¹, Rei Usami¹, Koshi Oi¹, Takahiko Endo², Yasumitsu Miyata², Taishi Takenobu¹ (1.Nagoya Univ., 2.Tokyo Metropolitan Univ.)

Keywords:

two-dimensional semiconductor,Electric double layer doping,Light-emitting device

我々は、遷移金属ダイカルコゲナイド（TMDC）単層膜・異種TMDCの面内接合単層膜・ファンデルワールス（vdW）ヘテロ構造に対して電気二重層ドーピングを行うことにより、pn接合及び電流励起発光を実現した。しかし、電圧印加時のイオンの挙動は必ずしも明らかになっていない。そこで、電気二重層ドーピングにおいて特有の現象であるイオンの移動に伴う電流の時間変化（過渡応答）に着目し、新たに考案した等価回路に基づく定量的評価を試みた。