講演情報
[17a-P01-65]遷移金属ダイカルコゲナイドを用いた電気二重層発光素子
〇山田 圭佑1、宇佐美 怜1、大井 浩司1、遠藤 尚彦2、宮田 耕充2、竹延 大志1 (1.名大工、2.都立大理)
キーワード:
二次半導体、電気二重層ドーピング、発光素子
我々は、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMDC)単層膜・異種TMDCの面内接合単層膜・ファンデルワールス(vdW)ヘテロ構造に対して電気二重層ドーピングを行うことにより、pn接合及び電流励起発光を実現した。しかし、電圧印加時のイオンの挙動は必ずしも明らかになっていない。そこで、電気二重層ドーピングにおいて特有の現象であるイオンの移動に伴う電流の時間変化(過渡応答)に着目し、新たに考案した等価回路に基づく定量的評価を試みた。
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