[17p-A41-1~9] (Open Symposium) Advanced power semiconductor striving in Japan

4:50 PM - 5:20 PM JST(7:50 AM - 8:20 AM UTC)

[17p-A41-8] Challenges on Power Electronics with Wide Bandgap Semiconductor

〇Keisuke Kusaka¹ (1.Nagaoka Univ. of Tech.)

Keywords:

wide bandgap semiconductor,noise

WBGデバイスは高耐圧化，高速スイッチング化，導通損失低減が可能であるといった特性から，パワーエレクトロニクス（以下，「パワエレ」）回路の効率向上や小型化に向けて大きな期待が寄せられている。しかし，パワエレ回路への実装の観点を考えると，WBGデバイス高速スイッチングはノイズやゲートの電位変動といった種々の課題を引き起こす場合がある。そこで本稿ではこれらの問題と，解決に向けた取り組み事例を紹介する。