[17p-B2-1~9] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[17p-B2-6] Cristobalite phase inside thermally-oxidized films on Si wafers

〇Eiji Kamiyama^1,2, Koji Sueoka² (1.Globalwafers Japan Co. Ltd, 2.Okayama Pref. Univ.)

Keywords:

silicon,Oxidation,Cristobalite

Si(001)面に形成した熱酸化膜に対し，2010 年頃に提案されたPseudo-Cristobalite モデルについて，第一原理計算によりその安定性を調査し，この構造の出現可能性について考察したので、その結果について報告する．