[17p-B3-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

4:15 PM - 4:30 PM JST(7:15 AM - 7:30 AM UTC)

[17p-B3-13] A novel ferroelectric capacitor with asymmetric double layer structure of MOCVD-PZT and sputtered PLZT for high-reliability FeRAM

〇Wensheng Wang¹, Ko Nakamura¹, Takashi Eshita¹, Masaaki Nakabayashi¹, Kazuaki Takai¹, Kenji Suezawa¹, Mitsuaki Oikawa¹, Nozomi Sato¹, Soichiro Ozawa¹, Kouichi Nagai¹, Satoru Mihara¹, Yukinobu Hikosaka¹, Hitoshi Saito¹ (1.FUJITSU SEMICONDUCTOR MEMORY SOLUTION LIMITED)

Keywords:

ferroelectric film,FeRAM,capacitor

微細化の観点からから強誘電体キャパシタの単位面積あたりの反転分極量を大きくする必要があるので、MOCVD-PZTを適用したキャパシタを異なる面積のマスクパターンを用いてパターニングし、単位面積あたりの反転電荷量が実際に増加するかを調べる。従来のスパッタ（PLZT＋PLZT積層）のみで作製したキャパシタより今回作製したキャパシタ（MOCVD-PZT＋Sputter-PLZT積層）の単位面積あたりの反転電荷量が大きい。スパッタ成膜によるPLZTのみを用いたキャパタより、MOCVDーPZTを用いた今回開発したキャパシタの方が微細化に適することがわかった。