[17p-B3-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

16:15 〜 16:30

[17p-B3-13] 高信頼性FeRAM向けのMOCVD-PZTとスパッタPLZTの非対称二重層構造を備えた新規強誘電体キャパシタ

〇王 文生¹、中村 亘¹、恵下 隆¹、中林 正明¹、高井 一章¹、末沢 健吉¹、及川 光彬¹、佐藤 のぞみ¹、小澤 聡一郎¹、永井 孝一¹、三原 智¹、彦坂 幸信¹、齋藤 仁¹ (1.富士通セミコンダクターメモリソリューション)

キーワード：

強誘電体膜、FeRAM、キャパシタ

微細化の観点からから強誘電体キャパシタの単位面積あたりの反転分極量を大きくする必要があるので、MOCVD-PZTを適用したキャパシタを異なる面積のマスクパターンを用いてパターニングし、単位面積あたりの反転電荷量が実際に増加するかを調べる。従来のスパッタ（PLZT＋PLZT積層）のみで作製したキャパシタより今回作製したキャパシタ（MOCVD-PZT＋Sputter-PLZT積層）の単位面積あたりの反転電荷量が大きい。スパッタ成膜によるPLZTのみを用いたキャパタより、MOCVDーPZTを用いた今回開発したキャパシタの方が微細化に適することがわかった。