[17p-B3-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)

[17p-B3-3] Crystal structure and electrical properties of BiFe_1-xMn_xO₃ epitaxial films

〇(B)Kira Fujihara¹, Sengsavang Aphayvong¹, Meika Takagi¹, Kohei Takaki¹, Yohane Fujibayashi¹, Norihfumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro Univ.)

Keywords:

Ferroelectric thin film,Epitaxial film,BiFeO3

近年、IoT 社会の実現に向けてエナジーハーベスティング技術が注目されており、簡易な構造で高い変換効率が期待できる圧電振動発電に関する研究が活発に行われている。我々は大きい自発分極と低い誘電率を有し、高い振動発電性能指数を示す BiFeO₃に着目している。本研究では、リーク電流の低減や強誘電特性の向上が報告されている BiFe_1-xMn_xO₃(BFMO)のエピタキシャル薄膜を Si 基板上に作製し、その結晶構造や電気的特性を調べた。