[17p-B3-1~18] 6.1 Ferroelectric thin films

1:45 PM - 2:00 PM JST(4:45 AM - 5:00 AM UTC)

[17p-B3-4] Fabrication and evaluation of BiFe_(1-x)Mn_xO₃ thin film on SOI substrate

〇(M1)Meika Takagi¹, Sengsavang Aphayvong¹, Yohane Fujibayashi¹, Kira Fujihara¹, Syuichi Murakami², Hidemasa Yamane², Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ., 2.ORIST.)

Keywords:

ferroelectric,epitaxial films,BiFeO3

高い電気機械結合定数を持つPZTは、圧電MEMSデバイスで広く用いられている。しかし近年、環境保護の観点から代替となる非鉛の材料が模索されており、我々は大きな自発分極と低い比誘電率を持つBiFeO₃に注目している。これまでスパッタ法のみを用いて(100)Si基板上にBiFeO₃エピタキシャル膜を形成できることを報告してきた。本研究では、MEMSデバイスの作製に向けて、(100)SOI基板上への成長やウェットエッチングによるパターニングなどの検討を行った。