[17p-B3-1~18] 6.1 強誘電体薄膜

13:45 〜 14:00

[17p-B3-4] SOI 基板上BiFe_(1-x)Mn_xO₃薄膜の作製と評価

〇(M1)高城 明佳¹、Aphayvong Sengsavang¹、藤林 世覇音¹、藤原 輝羅¹、村上 修一²、山根 秀勝²、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工、2.大阪技術研)

キーワード：

強誘電体薄膜、エピタキシャル膜、BiFeO3

高い電気機械結合定数を持つPZTは、圧電MEMSデバイスで広く用いられている。しかし近年、環境保護の観点から代替となる非鉛の材料が模索されており、我々は大きな自発分極と低い比誘電率を持つBiFeO₃に注目している。これまでスパッタ法のみを用いて(100)Si基板上にBiFeO₃エピタキシャル膜を形成できることを報告してきた。本研究では、MEMSデバイスの作製に向けて、(100)SOI基板上への成長やウェットエッチングによるパターニングなどの検討を行った。