[17p-C41-1~11] Plasma direct bonding technology for next-generation semiconductor and new device manufacturing

1:35 PM - 2:05 PM JST(4:35 AM - 5:05 AM UTC)

[17p-C41-2] Wafer Bonding Assisted by Plasma Surface Activation and its Application

〇Kenji Takahashi¹ (1.AIST)

Keywords:

semiconductor,wafer bonding,surface activation

プラズマ表面活性化を利用した基板接合技術、とくにシリコンウェハの接合技術は近年応用分野を広げつつあり注目されている技術分野である。本講演ではウェハ接合技術についてのこれまでの主な動きと今後の動向を述べる