[17p-C41-1~11] 次世代半導体・新デバイス製造に向けたプラズマ直接接合技術

13:35 〜 14:05

[17p-C41-2] プラズマ表面活性化による基板接合技術の動向

〇高橋 健司¹ (1.産総研)

キーワード：

半導体、ウェハ接合、表面活性化

プラズマ表面活性化を利用した基板接合技術、とくにシリコンウェハの接合技術は近年応用分野を広げつつあり注目されている技術分野である。本講演ではウェハ接合技術についてのこれまでの主な動きと今後の動向を述べる