[17p-C42-1~11] Emergence of Novel Functions in Nitride and III/V Group Compound Semiconductor Nanostructures

5:45 PM - 6:00 PM JST(8:45 AM - 9:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[17p-C42-10] Hetero-interface formation technology with high Al content difference for improving injection efficiency of AlGaN-based UV-B LDs

〇Takumu Saito¹, Rintaro Miyake¹, Ryoya Yamada¹, Yoshinori Imoto¹, Shundai Maruyama¹, Yusuke Sasaki¹, Shogo Karino¹, Sho Iwayama¹, Hideto Miyake², Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.Mie Univ.)

Keywords:

nitride,UV LD,metal organic vapor phase epitaxy

我々は、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の室温パルス発振に成功し、ピーク光出力150mWを達成した。しかし、このLDのキャリア注入効率(η_i)はわずか10%であり、GaInN、AlGaInP、AlGaInAsなどの他の半導体材料を用いたLDに比べて著しく低い。さらなる光出力向上に向けてη_i改善が重要な課題である。本研究では、デバイスシミュレータSiLENSeを用いたLD層構造の設計とMOVPE成長条件の最適化について検討を行った。