[17p-C42-1~11] 窒化物・III/V族ナノ構造における新規機能発現

17:45 〜 18:00奨励賞エントリー

[17p-C42-10] AlGaN系UV-B LDの注入効率向上に向けた高Al組成差のヘテロ界面形成技術

〇齋藤 巧夢¹、三宅 倫太郎¹、山田 凌矢¹、井本 圭紀¹、丸山 竣大¹、佐々木 祐輔¹、狩野 祥吾¹、岩山 章¹、三宅 秀人²、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.三重大院工)

キーワード：

窒化物、紫外レーザ、有機金属気相成長法

我々は、AlGaN系UV-Bレーザーダイオード（LD）の室温パルス発振に成功し、ピーク光出力150mWを達成した。しかし、このLDのキャリア注入効率(η_i)はわずか10%であり、GaInN、AlGaInP、AlGaInAsなどの他の半導体材料を用いたLDに比べて著しく低い。さらなる光出力向上に向けてη_i改善が重要な課題である。本研究では、デバイスシミュレータSiLENSeを用いたLD層構造の設計とMOVPE成長条件の最適化について検討を行った。