[17p-C42-1~11] Emergence of Novel Functions in Nitride and III/V Group Compound Semiconductor Nanostructures

6:00 PM - 6:30 PM JST(9:00 AM - 9:30 AM UTC)

[17p-C42-11] Characterization of AlGaN-based vertical p-n diodes with distributed polarization doping

〇Yoshio Honda^1,2,3, Takeru Kumabe⁴, Maki Kushimoto⁴, Hiroshi Amano^1,2,3 (1.IMaSS Nagoya Univ., 2.D Center Nagoya Univ., 3.IAR Nagoya Univ., 4.Grad. Sch. Eng. Nagoya Univ.)

Keywords:

III-Nitride semiconductor,Polarization doping,pn diode

ワイドギャップ半導体ではドーピング制御が単極性を示すが、窒化物半導体ではp型制御が困難である。一方、ドーピングが困難なAlGaN系発光デバイスでは、分布型分極ドーピング(DPD)が利用されている。本報告では、パワーデバイス応用を念頭に、ドーピングフリーでAlGaN傾斜組成を作製しDPD p-n接合ダイオードを作製した。DPD p-nダイオードは、ドーピングp-nダイオードと同等以上の特性を示し、DPDによるデバイス応用が現実的である結果を示した。