[17p-C42-1~11] 窒化物・III/V族ナノ構造における新規機能発現

18:00 〜 18:30

[17p-C42-11] 分布型分極ドーピングを用いたAlGaN系縦型p-nダイオードの特性評価

〇本田 善央^1,2,3、隈部 岳瑠⁴、久志本 真希⁴、天野 浩^1,2,3 (1.名大未来研、2.名大 D センター、3.名大 IAR、4.名大院工)

キーワード：

窒化物半導体、分極ドーピング、pnダイオード

ワイドギャップ半導体ではドーピング制御が単極性を示すが、窒化物半導体ではp型制御が困難である。一方、ドーピングが困難なAlGaN系発光デバイスでは、分布型分極ドーピング(DPD)が利用されている。本報告では、パワーデバイス応用を念頭に、ドーピングフリーでAlGaN傾斜組成を作製しDPD p-n接合ダイオードを作製した。DPD p-nダイオードは、ドーピングp-nダイオードと同等以上の特性を示し、DPDによるデバイス応用が現実的である結果を示した。