[17p-D63-1~16] 7.2 Applications and technologies of electron beams

2:45 PM - 3:00 PM JST(5:45 AM - 6:00 AM UTC)

[17p-D63-8] Development of high-speed recordable direct electron detectors using SOI technology

〇Takafumi Ishida^1,2, Yuichi Ishida², Makoto Kuwahara^1,2, Yasuo Arai³, Koh Saitoh^1,2 (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ., 3.KEK)

Keywords:

SOI pixel detector

本発表ではサブマイクロ秒以下の高速現象の可視化に向けて各ピクセルにアナログメモリを搭載したダイレクト電子検出器の開発およびその原理検証結果について報告する。本検出器はSilicon-on-insulator技術を用いた放射線イメージセンサーであるSOIピクセル検出器を元に開発され、16枚の透過電子顕微鏡像を高速に記録できる。原理検証実験から本検出器は900 nsのフレーム周期を達成できることがわかった。