[18a-A22-1~13] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[18a-A22-2] Synthesis of oxide solid solutions via soli-state ion exchange: a case of (Na,Ag)GaO₂

〇ISSEI SUZUKI¹, Masao Kita², Takahisa Omata¹ (1.Tohoku Univ., 2.Toyama Natl. Coll. Tech.)

Keywords:

Ion exchange,Oxide semiconductor,First Principles Calculations

半導体の固溶化は、バンドギャップや格子定数などの物性を制御する観点で重要な技術である。最も典型的な固溶体の合成手法は、エントロピーの利得が大きくなる高温固相反応であるが、高温で不安定な準安定相には適用できない。本研究では、イオン交換を用いて準安定な固溶体を低温にて合成することを試みた。さらに、第一原理計算によってイオン交換後に得られる固溶体組成が推測できるか検討した。