[18a-A23-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[18a-A23-11] Large-scale Characterization of Double Quantum Dots in Isoelectronic-Trap-Assisted Tunnel Field-Effect Transistors

〇Yusuke Chiashi¹, Takumi Inaba¹, Yagishita Atsushi¹, Makoto Kato¹, Tomohiro Ishikawa¹, Hiroshi Oka¹, Kimihiko Kato¹, Hidehiro Asai¹, Minoru Ogura¹, Takashi Nakayama¹, Shota Iizuka¹, Takahiro Mori¹ (1.AIST)

Keywords:

Quantum dot,TFET

等電子トラップ援用トンネルトランジスタ(IET-TFET)は量子ビットとして高温の4Kで動作する一方で、その動作に用いられる二重量子ドット構造は偶発的に生じたものであり正体が明らかにされていなかった。本研究では、偶発的に生じる二重量子ドットの正体を探るべく、多数のIET-TFETにおける輸送特性を評価し、二重量子ドット構造の特性を統計的に分析した結果について報告する。