[18a-A23-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:45 〜 12:00

[18a-A23-11] 等電子トラップTFETに内在する二重量子ドットの大規模特性評価

〇千足 勇介¹、稲葉 工¹、八木下 淳史¹、加藤 真¹、石川 智弘¹、岡 博史¹、加藤 公彦¹、浅井 栄大¹、小倉 実¹、中山 隆史¹、飯塚 将太¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：

量子ドット、TFET

等電子トラップ援用トンネルトランジスタ(IET-TFET)は量子ビットとして高温の4Kで動作する一方で、その動作に用いられる二重量子ドット構造は偶発的に生じたものであり正体が明らかにされていなかった。本研究では、偶発的に生じる二重量子ドットの正体を探るべく、多数のIET-TFETにおける輸送特性を評価し、二重量子ドット構造の特性を統計的に分析した結果について報告する。