[18a-A23-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[18a-A23-9] Direct observation of electron capture processes in amphoteric defect states achieved by charge pumping in individual defects at MOS interface (12) -Lattice relaxation (Ⅲ)-

〇Toshiaki Tsuchiya¹, Masahiro Hori¹, Yukinori Ono¹ (1.Shizuoka Univ.)

Keywords:

MOS interface defects,amphoteric nature,lattice relaxation

これまで行ってきた11件の報告に引き続いて本講演では，MOS単一界面欠陥の両性準位（Donorlike準位とAcceptorlike準位）における電子捕獲過程や捕獲電子の再結合過程で観測された欠陥構造緩和について，その可逆性と欠陥タイプによる観測可能過程の違いを考慮することによって考察する．