[18a-A23-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

11:15 〜 11:30

[18a-A23-9] MOS界面の単一欠陥チャージポンピングによって可能となった両性準位における電子捕獲素過程の直接観測 (12) -欠陥構造緩和 (Ⅲ)-

〇土屋 敏章¹、堀 匡寛¹、小野 行徳¹ (1.静大電研)

キーワード：

MOS界面欠陥、両性準位、欠陥構造緩和

これまで行ってきた11件の報告に引き続いて本講演では，MOS単一界面欠陥の両性準位（Donorlike準位とAcceptorlike準位）における電子捕獲過程や捕獲電子の再結合過程で観測された欠陥構造緩和について，その可逆性と欠陥タイプによる観測可能過程の違いを考慮することによって考察する．