[18a-A24-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-A24-2] Fabrication of epitaxial Mg₃Sb₂ thin films on Si(001) substrates by codeposition

〇Nozomu Kiridoshi¹, Akito Ayukawa¹, Wakaba Yamamoto², Akira Yasuhara², Kohei Satou², Haruhiko Udono¹, Shunya Sakane¹ (1.Ibaraki Univ., 2.JEOL)

Keywords:

Epitaxy,Mg3Sb2,Zintl phase

我々の研究グループは、サファイア基板上に極薄い遷移層で歪みが緩和したc面配向エピタキシャルMg3Sb2薄膜を作製し、これまで報告されてきた熱電性能を上回る性能を得たことを報告した。
歪み緩和がMg3Sb2薄膜の結晶構造に起因するものであれば、エピタキシャル成長において様々な基板の選択が可能であると考えられる。本研究では、Si(001)基板上にエピタキシャルMg3Sb2薄膜を作製することを目的とした。本講演では、薄膜の形成メカニズムと結晶性について議論を行う。