[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:15 〜 9:30奨励賞エントリー

[18a-A24-2] 同時蒸着によるSi(001)基板上エピタキシャルMg₃Sb₂薄膜の作製

〇切通 望¹、鮎川 瞭仁¹、山本 若葉²、安原 聡²、佐藤 康平²、鵜殿 治彦¹、坂根 駿也¹ (1.茨城大、2.日本電子)

キーワード：

エピタキシャル成長、Mg3Sb2、Zintl相

我々の研究グループは、サファイア基板上に極薄い遷移層で歪みが緩和したc面配向エピタキシャルMg3Sb2薄膜を作製し、これまで報告されてきた熱電性能を上回る性能を得たことを報告した。
歪み緩和がMg3Sb2薄膜の結晶構造に起因するものであれば、エピタキシャル成長において様々な基板の選択が可能であると考えられる。本研究では、Si(001)基板上にエピタキシャルMg3Sb2薄膜を作製することを目的とした。本講演では、薄膜の形成メカニズムと結晶性について議論を行う。