[18a-A24-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-A24-3] Deposition of AgBa₂Si₃ films for thermoelectric applications and search for dopants by first-principles calculations

〇Kimimaru Kajihara¹, Takamitsu Ishiyama¹, Kaoru Toko¹, Yoichiro Koda², Masami Mesuda², Shuta Honda³, Takashi Suemasu¹ (1.Univ. of Tsukuba, 2.Tosoh Corporation, 3.Kansai Univ)

Keywords:

Thermoelectric material,Conduction type control,First-principle calculation

AgBa₂Si₃は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料についてはゼーベック係数S = 398 μV K⁻¹、無次元性能指数ZT ＝ 0.52という、環境調和型材料として突出した性能が報告されている。しかし本材料の不純物添加や薄膜作製例はなかった。本研究では第一原理計算を用いて、ドーパントとして適した元素を新たに特定した。また、本材料初となる薄膜サンプルの作製を試みた。