[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

9:30 〜 9:45奨励賞エントリー

[18a-A24-3] 熱電応用に向けたAgBa₂Si₃の成膜と第一原理計算によるドーパントの探索

〇梶原 君円¹、石山 隆光¹、都甲 薫¹、幸田 陽一郎²、召田 雅美²、本多 周太³、末益 崇¹ (1.筑波大院、2.東ソー株式会社、3.関西大学)

キーワード：

熱電材料、伝導型制御、第一原理計算

AgBa₂Si₃は組成比に応じた伝導型変調が報告されており、50 ℃においてp型伝導を示したバルク試料についてはゼーベック係数S = 398 μV K⁻¹、無次元性能指数ZT ＝ 0.52という、環境調和型材料として突出した性能が報告されている。しかし本材料の不純物添加や薄膜作製例はなかった。本研究では第一原理計算を用いて、ドーパントとして適した元素を新たに特定した。また、本材料初となる薄膜サンプルの作製を試みた。