[18a-A24-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)

[18a-A24-6] Annealing effect of the conducting behavior of the bulk single crystals of InGaO3(ZnO)n

〇Naoki Kase¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Keita Tanaka¹, Yusuke Kawamura¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci.)

Keywords:

transparent semiconductor,single crystal,electrical conductivity

我々の研究グループではOptical Floating Zone (OFZ)法によって InGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の大型単結晶の育成に成功し, この単結晶を用いてバルク試料の電気伝導特性を明らかにしてきた。特に電気伝導度の異方性は In, Ga, Zn ブロック層が与える電気伝導への寄与を推測できるため, IGZO の物性解明に大きな役割を果たすと考えている。本研究では, アニール処理を施した大型単結晶を用いてより低いキャリア帯におけるInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の伝導異方性を明らかにすることを目的として研究を行った。