[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

10:30 〜 10:45

[18a-A24-6] InGaO3(ZnO)n 大型単結晶のアニール処理による電気伝導度の変化

〇加瀬 直樹¹、井上 禎人¹、漆間 由都¹、田中 啓太¹、河村 優介¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

透明酸化物半導体、大型単結晶、電気伝導度

我々の研究グループではOptical Floating Zone (OFZ)法によって InGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の大型単結晶の育成に成功し, この単結晶を用いてバルク試料の電気伝導特性を明らかにしてきた。特に電気伝導度の異方性は In, Ga, Zn ブロック層が与える電気伝導への寄与を推測できるため, IGZO の物性解明に大きな役割を果たすと考えている。本研究では, アニール処理を施した大型単結晶を用いてより低いキャリア帯におけるInGaO₃(ZnO)_n (n = 1, 2, 3)の伝導異方性を明らかにすることを目的として研究を行った。