[18a-A24-1~9] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)

[18a-A24-7] Sn substitution effect on (InGaO₃)_m(ZnO)_nsingle crystals

〇Ryotaro Kokai¹, Tadahito Inoue¹, Yuto Uruma¹, Naoki Kase¹, Nobuaki Miyakawa¹ (1.Tokyo Univ. of Sci)

Keywords:

transparent conductive oxide,physical Properties,bulk crystal growth

加圧式Optical Floating Zone法を用いることによって、Sn置換型のInGaO₃ZnO単結晶の育成に成功した。具体的にはInサイトとGaサイトをSn/Znで置換した単結晶であり、XRD解析の結果より、Sn/Znの置換を示唆する結果を得ることができた。当日はホール効果測定などの結果から、この物質の電気輸送特性ついても報告・考察を行う予定である。