[18a-A24-1~9] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

10:45 〜 11:00

[18a-A24-7] (InGaO₃)_m(ZnO)_n単結晶への Sn 置換効果

〇小海 稜太郎¹、井上 禎人¹、漆間 由都¹、加瀬 直樹¹、宮川 宣明¹ (1.東理大先進工)

キーワード：

透明導電性酸化物、基礎物性、バルク結晶成長

加圧式Optical Floating Zone法を用いることによって、Sn置換型のInGaO₃ZnO単結晶の育成に成功した。具体的にはInサイトとGaサイトをSn/Znで置換した単結晶であり、XRD解析の結果より、Sn/Znの置換を示唆する結果を得ることができた。当日はホール効果測定などの結果から、この物質の電気輸送特性ついても報告・考察を行う予定である。