[18a-A31-1~11] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-A31-7] Influence of metallic impurities on the formation of transition layers in cubic boron nitride films

〇Akira Okada¹, Yuya Asamoto¹, Masao Noma², Shigehiko Hasegawa³, Michiru Yamashita⁴, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto unuv., 2.SHINKO SEIKI. Co., LTD., 3.Osaka univ., 4.Hyogo Pref. Inst. Technol.)

Keywords:

boron nitride

sp³結合相窒化ホウ素（c-BN）は高硬度材料であり，工業的応用が期待されている．c-BNの成膜手法としてはイオン衝撃を用いた手法が数多く提案されており，このような手法においては基板とc-BN層との間にsp²結合相窒化ホウ素（h-BN）遷移層が形成されることが分かっている．本研究ではBN膜中にタングステンを導入し，不純物がc-BN層/h-BN遷移層構造の形成に与える影響およびBN膜のナノインデンテーション硬さを解析した．