講演情報
[18a-A31-7]金属元素が立方晶窒化ホウ素膜中の遷移層形成に及ぼす影響に関する研究
〇岡田 晟良1、朝本 雄也1、野間 正男2、長谷川 繁彦3、山下 満4、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工、2.新港精機、3.阪大産研、4.兵庫県立工技センター)
キーワード：
窒化ホウ素
sp3結合相窒化ホウ素（c-BN）は高硬度材料であり，工業的応用が期待されている．c-BNの成膜手法としてはイオン衝撃を用いた手法が数多く提案されており，このような手法においては基板とc-BN層との間にsp2結合相窒化ホウ素（h-BN）遷移層が形成されることが分かっている．本研究ではBN膜中にタングステンを導入し，不純物がc-BN層/h-BN遷移層構造の形成に与える影響およびBN膜のナノインデンテーション硬さを解析した．
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