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[18a-B3-3]Investigation of low-temp. epitaxial growth of Ce,Mn substituted ZnO thin films
and electrical characterization

〇Moe Sakaguchi1, Hiroya Oiso1, Norifumi Fujimura1, Takeshi Yoshimura1 (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

ZnO,Epitaxial growth,Ce,Mn

酸化亜鉛(ZnO)はc軸方向に自発分極を持つ圧電体であり、センサなどへの応用が検討されている。Ce,Mn共置換による強誘電性の発現が知られているが、圧電性の向上は報告されていない。また、デバイス応用の観点からはSi基板上に薄膜を低温成長させることが望ましいが、電極上のZnOエピタキシャル成長は、製膜温度400℃未満では報告されていない。本研究では、Si上エピタキシャル電極基板を用いて(Ce,Mn)置換ZnOの低温成長について検討した。

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