[18a-B3-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

11:00 〜 11:15

[18a-B3-3] (Ce,Mn)置換ZnO薄膜の低温エピタキシャル成長と電気的特性評価

〇阪口 萌生¹、大磯 裕也¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工)

キーワード：

酸化亜鉛、エピタキシャル成長、Ce、Mn

酸化亜鉛（ZnO）はc軸方向に自発分極を持つ圧電体であり、センサなどへの応用が検討されている。Ce,Mn共置換による強誘電性の発現が知られているが、圧電性の向上は報告されていない。また、デバイス応用の観点からはSi基板上に薄膜を低温成長させることが望ましいが、電極上のZnOエピタキシャル成長は、製膜温度400℃未満では報告されていない。本研究では、Si上エピタキシャル電極基板を用いて(Ce,Mn)置換ZnOの低温成長について検討した。