[18a-B3-1~6] 6.1 Ferroelectric thin films

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)

[18a-B3-6] Fabrication of Al_1-xSc_xN/Si heterostructure by sputtering method Ⅱ

〇Hiroto Yamada¹, Koki Yasuoka¹, Norifumi Fujimura¹, Takeshi Yoshimura¹ (1.Osaka Metro. Univ.)

Keywords:

ferroelectric,AlScN

AlScNは良好な半導体／強誘電体ヘテロ構造を形成できる材料として強誘電体ゲート型電界効果トランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。本研究では、超高真空RFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi上にAlScN薄膜を作製し、結晶構造と電気特性の関係について調べた。