[18a-B3-1~6] 6.1 強誘電体薄膜

11:45 〜 12:00

[18a-B3-6] スパッタ法によるAl_1-xSc_xN/Siヘテロ構造の作製Ⅱ

〇山田 洋人¹、安岡 功樹¹、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大工)

キーワード：

強誘電体、AlScN

AlScNは良好な半導体／強誘電体ヘテロ構造を形成できる材料として強誘電体ゲート型電界効果トランジスタ(FeFET)への応用が期待されている。本研究では、超高真空RFマグネトロンスパッタリング法を用いてSi上にAlScN薄膜を作製し、結晶構造と電気特性の関係について調べた。