[18a-C301-1~9] CS.11 Code-sharing Session of 9.4 & M

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[18a-C301-1] Improvement of σ/κ Ratio in Silicon Thin Film by SiGe Super-thin Film Interface and Short-period Phononic Crystal Nanostructures

〇Ryoto Yanagisawa¹, Ayaka Odashima^1,2, Takahiro Inoue², Kentaro Sawano^1,2, Masahiro Nomura¹ (1.IIS Univ. of Tokyo, 2.Tokyo City Univ.)

Keywords:

thermoelectrics,silicon,phonon transport

シリコン薄膜の熱電材料として、Si薄膜にSiGe極薄膜の界面を挿入した試料を作製し、熱伝導率と電気伝導率の測定を行った。3層のSiと2層のSiGeで合計厚さ270 nmの薄膜において、単結晶Siと比較して1/4以下の熱伝導率を観測し、さらにフォノニック結晶ナノ構造を作製することで熱伝導率の大幅な低減を得た。フォノニック結晶の周期を短くすることで、電気伝導率を高く保ったまま熱伝導率を低減する結果を得た。