[18a-C301-1~9] CS.11 9.4 熱電変換、22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」のコードシェア

9:00 〜 9:15

[18a-C301-1] SiGe界面と短周期フォノニック結晶ナノ構造によるSi薄膜のσ/κ比の向上

〇柳澤 亮人¹、小田島 綾華^1,2、井上 貴裕²、澤野 憲太郎^1,2、野村 政宏¹ (1.東大生研、2.東京都市大)

キーワード：

熱電変換、シリコン、フォノン輸送

シリコン薄膜の熱電材料として、Si薄膜にSiGe極薄膜の界面を挿入した試料を作製し、熱伝導率と電気伝導率の測定を行った。3層のSiと2層のSiGeで合計厚さ270 nmの薄膜において、単結晶Siと比較して1/4以下の熱伝導率を観測し、さらにフォノニック結晶ナノ構造を作製することで熱伝導率の大幅な低減を得た。フォノニック結晶の周期を短くすることで、電気伝導率を高く保ったまま熱伝導率を低減する結果を得た。