[18a-C41-1~7] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

9:00 AM - 9:15 AM JST(12:00 AM - 12:15 AM UTC)

[18a-C41-1] Comparison of single Shockley-type stacking fault expansion in 4H-SiC under ultraviolet illumination after hydrogen or fluorine ion implantation

〇Johji Nishio¹, Chiharu Ota¹, Ryosuke Iijima¹ (1.Toshiba R&D Center)

Keywords:

silicon carbide,single Shockley-type stacking fault,ion implantation

4H-SiCエピ層中における単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)拡張抑制機構として、イオン注入によるSiダングリングボンドの終端を想定し、結合エネルギーの大きいフッ素を注入種に選んで水素イオン注入の場合と比較を行った。拡張速度および拡張停止深さの観点から水素イオン注入よりもフッ素イオン注入の方が1SSF拡張に対する抑制効果の大きいことが示された。