[18a-C41-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

9:00 〜 9:15

[18a-C41-1] 水素またはフッ素イオン注入を行った4H-SiC中の基底面転位のUV照射による積層欠陥拡張比較

〇西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：

炭化珪素、単一ショックレー型積層欠陥、イオン注入

4H-SiCエピ層中における単一ショックレー型積層欠陥(1SSF)拡張抑制機構として、イオン注入によるSiダングリングボンドの終端を想定し、結合エネルギーの大きいフッ素を注入種に選んで水素イオン注入の場合と比較を行った。拡張速度および拡張停止深さの観点から水素イオン注入よりもフッ素イオン注入の方が1SSF拡張に対する抑制効果の大きいことが示された。