[18a-C41-1~7] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

10:00 AM - 10:15 AM JST(1:00 AM - 1:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[18a-C41-5] Study on growth rate and impurity concentrations in fluorescent 4H-SiC

〇Takuma Ban¹, Shota Akiyoshi¹, Taisei Mizuno¹, Naoki Takahashi¹, Eri Akazawa², Atsushi Suzuki², Weifang Lu³, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹ (1.Meijo Univ., 2.E&E evolution Ltd., 3.Xiamen Univ.)

Keywords:

fluorescent SiC,4H-SiC

蛍光SiCの発光効率を低下させる要因であるオージェ再結合が問題である。これを抑制するためにND-NAを低減することが効果的である。また、間接遷移半導体であるSiCは吸収係数が小さいため高成長レートが望ましい。本研究では、高成長レートと高効率発光を実現する成長条件について検討した。その結果、温度勾配と成長温度の増加によって高成長レートと低ND-NAによる高効率発光を実現した成長条件が判明した。