[18a-C41-1~7] 15.6 IV族系化合物（SiC）

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[18a-C41-5] 蛍光4H-SiCの成長レートと不純物濃度に関する検討

〇坂 卓磨¹、秋吉 翔太¹、水野 大誠¹、高橋 直暉¹、赤澤 絵里²、鈴木 敦志²、Lu Weifang³、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹ (1.名城大理工、2.E&Eエボ株、3.厦門大)

キーワード：

蛍光SiC、4H-SiC

蛍光SiCの発光効率を低下させる要因であるオージェ再結合が問題である。これを抑制するためにND-NAを低減することが効果的である。また、間接遷移半導体であるSiCは吸収係数が小さいため高成長レートが望ましい。本研究では、高成長レートと高効率発光を実現する成長条件について検討した。その結果、温度勾配と成長温度の増加によって高成長レートと低ND-NAによる高効率発光を実現した成長条件が判明した。